全芯微半导体申请mosfet用智能复合终端结构专利实现电场均匀分布
发布时间：2025-11-27 00:48:52点击量：
金融界2025年8月4日消息，国家知识产权局信息显示，深圳全芯微半导体有限公司申请一项名为“一种mosfet用智能复合终端结构”的专利，公开号CN120417422A，申请日期为2025年04月。
专利摘要显示，本发明涉及半导体领域，公开了一种mosfet用智能复合终端结构，包括若干个近源沟槽以及间距为D的若干个终端沟槽，至少一个近源沟槽的一侧配置p型阱区，p型阱区至少一个肩部形成N型重掺杂源极；终端沟槽内形成多晶硅层，多晶硅层具有弧形界面，远离近源沟槽的终端沟槽的间距D大于靠近近源沟槽的终端沟槽的间距D。
天眼查资料显示，深圳全芯微半导体有限公司，成立于2021年，位于深圳市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本2137.37万人民币。通过天眼查大数据分析，深圳全芯微半导体有限公司共对外投资了8家企业，财产线条，此外企业还拥有行政许可4个。
特别声明：以上内容(如有图片或视频亦包括在内)为自媒体平台“网易号”用户上传并发布，本平台仅提供信息存储服务。
平台线上低价卖黄金却“延迟发货”，有人买了上百万元！要与国企混改？涉事国企：已全面停止混改工作
乌方遭大规模联合攻击！红军城告急，俄军一天拿下64座建筑！普京最新支持率出炉，特朗普：希望继续与普京会晤
张家界荒野求生挑战赛只剩17人，有人猜测“选手提前埋食物”，赛事方：不可能，场地严格保密
无视反作弊，玩家成功在12年前的AMD FX-9590设备上跑起《战地6》
